Bevezetés
Félvezető dióda– félvezető eszköz egy elektromos csomóponttal és két vezetékkel (elektródákkal). Más típusú diódákkal ellentétben a félvezető dióda működési elve a pn átmenet jelenségén alapul.
A félvezető diódák síkbeli pn átmeneteit fúzióval, diffúzióval és epitaxiával kapják.
A hagyományos grafikus jelölés (1. ábra) a dióda kialakításától függ.
a B C D E F
a - dióda; b - zener dióda; c - szimmetrikus zener-dióda;
g - alagútdióda; d - varikap; e - fordított dióda
1. ábra - Diódák kijelölése sematikus diagramokon
A diódák főbb jellemzői és paraméterei:
Volt-amper jellemzők;
Állandó fordított áramú dióda;
Állandó fordított feszültségű dióda;
A dióda állandó előremenő árama;
Dióda frekvencia tartomány;
Differenciálellenállás;
- kapacitás;
Áttörési feszültség;
Maximális megengedett teljesítmény;
A dióda legnagyobb megengedett állandó előremenő árama.
A diódák típusai rendeltetés szerint
Az egyenirányító diódákat úgy tervezték, hogy a váltakozó áramot egyenárammá alakítsák.
Az impulzusdiódák tranziens folyamatai rövid ideig tartanak, és impulzusos üzemmódokban való használatra készültek.
Az érzékelő diódákat jelérzékelésre tervezték
A keverődiódákat arra tervezték, hogy a nagyfrekvenciás jeleket közepes frekvenciájú jellé alakítsák.
A kapcsolódiódákat mikrohullámú teljesítményszabályozó eszközökben való használatra tervezték.
Paraméteres
A határoló diódák (diakok, szupresszorok) a rádió- és háztartási berendezések védelmét szolgálják a hálózati feszültség növekedésétől.
Multiplikatív
Hangolás
Generátor
A diódák típusai frekvenciatartomány szerint
Alacsony frekvenciaju
Magas frekvencia
Dióda típusok a csatlakozási méret szerint
Repülőgép
Pont
A diódák típusai tervezés szerint
Schottky diódák
Mikrohullámú diódák
Zener diódák
Stabilizátorok
Varicaps
LED-ek
Fotodiódák
Lavina dióda
Lavina dióda
Gunn dióda
Alagút diódák
Fordított diódák
A dióda áram-feszültség karakterisztikája
A dióda műszaki paramétereit elsősorban az áram-feszültség karakterisztikája (VAC) határozza meg, melynek jellemző formáját az ábra mutatja. 1. A diódák és tirisztorok főbb paramétereinek megnevezését és meghatározásait a következő szabványok szabályozzák: "Kifejezések, definíciók és betűjelölések" GOST 20332-84. A karakterisztikán két tipikus ág különíthető el: előre és hátra. Az előremenő ág a dióda vezető állapotának felel meg az előremenő feszültség polaritásával. A fordított ág a dióda zárt állapotát mutatja a fordított feszültség megfelelő polaritásával. Az előremenő ágat a diódán keresztüli előremenő feszültség kis értékei, a fordított ágat pedig az áram kis értékei jellemzik, amelyeket fordítottnak neveznek.
2. ábra - Dióda I - V karakterisztikája
Ha egy állandó tápegységet „plusz” jellel a dióda anódjához (p-típusú területek), „mínusz”-jel a katódhoz (n-típusú területek) csatlakoztatunk, a dióda nyitott állapotban van, és áram fog folyni az áramkörben, melynek értéke a készülék tulajdonságaitól és a rákapcsolt feszültség értékétől függ. A kapcsolat közvetlen polaritása határozza meg az elektronok mozgását az n-típusú tartományból a p-típusú tartomány irányába, a p-típusú régióból a "lyukak" pedig az elektronok felé mozognak. A p-n átmenet tartományában találkozva a hordozók rekombinálódnak és megszűnnek létezni. A negatív akkumulátortöltés korlátlan számú elektront szállít az n tartományba, a pozitív pedig korlátlan számú "lyukat" generál a p tartományban. Ebben az esetben a p - n átmenet ellenállása kicsi, ami hozzájárul az egyenáram áramlásához.
Amikor az áramforrást újra csatlakoztatják a készülékhez, a diódán lévő elektromos töltések másképp viselkednek: az n vezetési tartományban lévő elektronok pozitív töltésre hajlamosak, eltávolodva a p - n átmenettől. A p-vezetési tartományban lévő lyukak viszont elkezdenek mozogni a negatív elektródára, és eltávolodnak a p-n átmenettől is. Ennek eredményeként a különböző vezetőképességű régiók határai kitágulnak, és bármely hordozóban kimerült zónát alkotnak. Egy ilyen zóna nagy ellenállással rendelkezik az árammal szemben, de itt még mindig előfordul egy kis hordozócsere, ami azt jelenti, hogy van áram is, de annak nagysága sokszor kisebb, mint a közvetlené. Ezt az áramot a dióda fordított áramának nevezik.
Munkarend:
1) futtassa a "Multisim" programot;
2) az összetevők és eszközök beépített könyvtárának segítségével hozzon létre egy áramkört az A függelékből;
3) állítson be 3 V szinuszos feszültséget 5 Hz frekvenciával a generátoron;
4) indítsa el a szimulációt, állítsa be az oszcilloszkópot BA-A sweep módba úgy, hogy a dióda VAC közvetlen ága (2. ábra) jól látható legyen;
5) állítsa le a szimulációt, vázolja fel a dióda áram-feszültség karakterisztikáját;
6) állítson be 150 V szinuszos feszültséget 5 Hz frekvenciával a generátoron;
7) indítsa el a szimulációt, állítsa be az oszcilloszkópot BA-A sweep módba úgy, hogy a dióda VAC fordított ága (2. ábra) jól látható legyen;
8) állítsa le a szimulációt, vázolja fel a dióda áram-feszültség karakterisztikáját;
10) hasonló módon mérje meg egy félvezető zener-dióda I - V karakterisztikáját (B. függelék, generátor beállítások - 4 V, 5 Hz);
11) készítsen diagramot a B. függelékben szereplő diak számára;
12) állítsa a multimétert az aktuális mérési módba, az oszcilloszkópot pedig a normál idő bázis módba;
13) a feszültség növelésével a transzformátor tekercseinek átkapcsolásával győződjön meg arról, hogy a biztosíték kiolvadt;
14) állítsa le a szimulációt, vonjon le következtetéseket, magyarázza el, mi történik;
15) egyenirányító hídvázlat készítése (D. melléklet);
16) állítson be 9 V szinuszos feszültséget 50 Hz frekvenciával a generátoron;
17) futtassa le a szimulációt, állítsa be az oszcilloszkópot;
18) vizsgálja meg az áramkört a feszültség változtatásával és a terhelés átkapcsolásával, hogy kiégjen a lámpa és a biztosítékok;
19) a szimuláció leállítása, következtetések levonása, oszcillogramok felvázolása;
20) diagramot készít egy dióda vizsgálatához (D. melléklet);
21) futtassa le a szimulációt, váltson át a szinuszgenerátorra, állítsa be az oszcilloszkópokat;
22) hasonlítsa össze a párhuzamos eszközök oszcillogramjait;
23) váltson egyenáramú akkumulátorra, az R1 változó ellenállás motorjának megváltoztatásával építse fel az U2 (XMM2) feszültség függését az U1 (XMM1) feszültségtől;
25) zárja be a programot;
26) válaszoljon a biztonsági kérdésekre.
ábrán. A 2.9. ábra egy szilícium egyenirányító dióda áram-feszültség karakterisztikáját mutatja különböző környezeti hőmérsékleteken.
A különböző típusú szilícium síkdiódák maximális megengedett előremenő árama 0,1 ... 1600 A. A diódák feszültségesése ezeknél az áramoknál általában nem haladja meg az 1,5 V-ot. A hőmérséklet növekedésével az előremenő feszültségesés csökken, ami összefügg a potenciálgát magasságának csökkenésével
p – n-átmenet és a töltéshordozók energiaszintek közötti újraelosztása.
A szilíciumdiódák áram-feszültség karakterisztikájának fordított ága nem rendelkezik a fordított áram telítési szakaszával, mivel A szilíciumdiódák fordított áramát a töltéshordozók keletkezési folyamata okozza p – n-átmenet. A szilíciumdiódák meghibásodása lavina jellegű. Ezért az áttörési feszültség a hőmérséklet emelkedésével nő. Egyes típusú szilíciumdiódáknál szobahőmérsékleten a letörési feszültség 1500 ... 2000 V lehet.
A szilícium egyenirányító diódák működési hőmérsékleti tartománya -60 ... + 125 C-ra korlátozódik. Az üzemi hőmérséklet alsó határa a diódaszerkezet különböző elemeinek lineáris tágulási hőmérsékleti együtthatóinak különbségéből adódik: alacsony hőmérsékleten mechanikai feszültségek lépnek fel, amelyek a kristály megrepedéséhez vezethetnek. A hőmérséklet csökkenésével figyelembe kell venni a diódán keresztüli előremenő feszültségesés növekedését is, amely a potenciálgát magasságának növekedése miatt következik be. p – n-átmenet.
Az egyenirányító diódák működési hőmérséklet-tartományának felső határát az egyenirányítás éles romlása határozza meg a fordított áram növekedése miatt - a félvezető atomok ionizációja következtében a töltéshordozók hőtermelése befolyásolja. Ennek alapján a szilícium egyenirányító diódák működési hőmérséklet-tartományának felső határa a legtöbb más félvezető eszközhöz hasonlóan az eredeti félvezető anyag sávszélességéhez kötődik.
ábrán. A 2.10 ábra egy germánium egyenirányító dióda áram-feszültség karakterisztikáját mutatja különböző környezeti hőmérsékleteken.
A germánium diódán keresztüli előremenő feszültség a megengedett legnagyobb előremenő áram mellett csaknem fele a szilíciumdióda feszültségének. Ennek oka a germánium átmenet potenciálgátjának alacsonyabb magassága, ami előny, de sajnos az egyetlen.
A germánium diódákra jellemző a fordított telítési áram megléte, amely a fordított áram kialakulásának mechanizmusához kapcsolódik - a kisebbségi töltéshordozók kivonási folyamatához.
A germánium diódák fordított áramsűrűsége sokkal nagyobb, mert Ha minden más tényező megegyezik, a germánium kisebbségi töltéshordozóinak koncentrációja több nagyságrenddel magasabb, mint a szilíciumban. Ez ahhoz a tényhez vezet, hogy a germánium diódáknál a meghibásodás termikus jellegű. Ezért az áttörési feszültség a hőmérséklet emelkedésével csökken, és ennek a feszültségnek az értékei kisebbek, mint a szilíciumdiódák áttörési feszültsége.
A germánium diódák működési hőmérséklet-tartományának felső határa körülbelül 75 ° C.
A germánium diódák lényeges tulajdonsága és hátránya, hogy még a nagyon rövid távú impulzus túlterhelést sem viselik el fordított előfeszítéssel. p – n-átmenet. Ezt a meghibásodási mechanizmus határozza meg - egy termikus leállás, amely akkor következik be, amikor az áramot egy nagy fajlagos teljesítmény felszabadítja a meghibásodás helyén.
A szilícium és germánium egyenirányító diódák felsorolt jellemzői az eredeti félvezetők sávközének különbségével függnek össze. Ez az összehasonlítás azt mutatja, hogy a szélesebb sávszélességű egyenirányító diódák tulajdonságaiban és paramétereiben jelentős előnyökkel járnak. Az egyik ilyen képviselő a gallium-arzenid.
Jelenleg a kereskedelemben kapható gallium-arzenid egyenirányító diódák még mindig messze vannak az optimálistól. Például egy AD112A típusú dióda maximálisan megengedett előremenő árama 300 mA 3 V előremenő feszültség mellett. A nagy mennyiségű előremenő feszültség minden egyenirányító dióda hátránya, p – n-melynek átmenetei széles sávközű anyagban vannak kialakítva. Ennek a diódának a maximális megengedett fordított feszültsége -50 V. Ez valószínűleg annak a ténynek köszönhető, hogy a régióban p – n-átmenet nagy a hibák koncentrációja a tökéletlen technológia miatt.
A gallium-arzenid egyenirányító diódák előnyei a széles üzemi hőmérséklet-tartomány és a jobb frekvenciatulajdonságok. Az AD112A diódák működési hőmérsékletének felső határa 250 C. Az AD110A gallium-arzenid diódák kis teljesítményű egyenirányítókban 1 MHz-es frekvenciáig működhetnek, amit ebben az anyagban a töltéshordozók rövid élettartama biztosít.
Következtetések:
1.A hőmérséklet növekedésével a germánium egyenirányító diódák fordított árama meredeken növekszik a hőáram növekedése miatt.
2. A szilíciumdiódák nagyon alacsony hőárammal rendelkeznek, ezért magasabb hőmérsékleten és kisebb fordított árammal működhetnek, mint a germánium diódák.
3. A szilíciumdiódák lényegesen nagyobb fordított feszültségen működhetnek, mint a germánium diódák. A szilíciumdiódák maximális megengedett állandó fordított feszültsége a hőmérséklet emelkedésével a maximális értékre nő, míg a germánium diódáknál meredeken csökken.
4. Ezen előnyök miatt az egyenirányító diódákat jelenleg főként szilícium alapúak gyártják.
Félvezető dióda — ez egy félvezető eszköz egy pn átmenettel és két elektródával. A félvezető dióda működési elve a pn átmenet jelenségén alapul, ezért bármely félvezető eszköz további tanulmányozásához tudnia kell, hogyan működik.
Egyenirányító dióda (szelepnek is nevezik) egy olyan félvezető dióda, amely a váltakozó áramot egyenárammá alakítja.
A diódának két vezetéke (elektródája), egy anódja és egy katódja van. Az anód a p réteghez, a katód az n réteghez csatlakozik. Ha pluszt adunk az anódra, és mínuszt az anódra (a dióda közvetlen bekapcsolása), a dióda átengedi az áramot. Ha mínusz az anódra, és plusz (a dióda fordított bekapcsolása) kerül a diódán át a katódra, akkor ez nem látszik a dióda áram-feszültség karakterisztikájából. Ezért amikor az egyenirányító dióda bemenetére váltakozó feszültséget táplálunk, csak egy félhullám halad át rajta.
A dióda áram-feszültség karakterisztikája (VAC).
A dióda áram-feszültség karakterisztikája az ábrán látható. I. 2. Az első kvadránsban a karakterisztika előremenő ága látható, amely leírja a dióda nagy vezetőképességű állapotát a rákapcsolt előremenő feszültséggel, amelyet a darabonkénti lineáris függvény linearizál.
u = U 0 + R D i
ahol: u a szelepen lévő feszültség, amikor az i áram áthalad; U 0 - küszöbfeszültség; R d - dinamikus ellenállás.
A harmadik kvadráns tartalmazza az áram-feszültség karakterisztika fordított ágát, amely az alacsony vezetőképesség állapotát írja le, amikor a diódára fordított feszültséget helyeznek. Alacsony vezetőképességű állapotban a félvezető szerkezeten nem folyik áram. Ez azonban csak a fordított feszültség bizonyos értékéig igaz. Fordított feszültség esetén, amikor az elektromos térerősség a pn átmenetben eléri a körülbelül 10 s V / cm-t, ez a mező átadhatja a mozgó töltéshordozókat - elektronokat és lyukakat, amelyek folyamatosan megjelennek a félvezető szerkezet teljes térfogatában a hő hatására. generálás - a semleges szilícium atomok ionizációjához elegendő mozgási energia. A keletkező lyukakat és vezetési elektronokat viszont a p-n átmenet elektromos tere felgyorsítja, és a semleges szilícium atomokat is ionizálja. Ilyenkor a fordított áram lavinaszerű növekedése következik be, .t. e) lavinatörések.
Az a feszültség, amelynél a fordított áram élesen megnő, U 3 áttörési feszültségnek nevezzük.
Ma a diódák szinte minden háztartási készülékben megtalálhatók. Sokan az eszközök egy részét az otthoni laborjukban is összeállítják. De az elektromos áramkör ezen elemeinek helyes használatához tudnia kell, hogy mi a dióda áram-feszültség jellemzője. Ez a jellemző, aminek ez a cikk foglalkozik.
Ami
A VAC a dióda félvezető áram-feszültség karakterisztikáját jelenti. A dióda pn átmenetén áthaladó áram függőségét tükrözi. Az I – V karakterisztika határozza meg az áram függőségét a nagyságrendtől, valamint a rákapcsolt feszültség polaritásától. Az áram-feszültség karakterisztika grafikon (diagram) alakú. Ez a grafikon így néz ki:
CVC a diódához
Minden diódatípus esetében az I-V karakterisztikus grafikonnak megvan a maga sajátos formája. Amint látja, a grafikon egy görbét tartalmaz. Az előremenő áram (közvetlen csatlakozás) értékei itt felül függőlegesen, alul ellentétes irányban láthatók. De a diagram és a grafikon vízszintes vonalai a feszültséget mutatják, hasonlóan előre és hátrafelé. Így az áram-feszültség karakterisztikus áramkör két részből áll:
- felső és jobb oldal - az elem előrefelé működik. Az előremenő áramot tükrözi. A vonal ebben a részben élesen felfelé megy. Az előremenő feszültség jelentős növekedését jellemzi;
- bal alsó sarokban - az elem ellenkező irányban működik. Ez megfelel egy zárt (fordított) áramnak a csomóponton keresztül. Itt a vonal szinte párhuzamosan fut a vízszintes tengellyel. A fordított áram lassú növekedését tükrözi.
Jegyzet! Minél meredekebb a grafikon függőleges felső része, és minél közelebb van a vízszintes tengelyhez az alsó vonal, annál jobbak lesznek a félvezető egyenirányító tulajdonságai.
Meg kell jegyezni, hogy a CVC erősen függ a környezeti hőmérséklettől. Például a levegő hőmérsékletének emelkedése a fordított áram éles növekedéséhez vezethet.
A CVC-t saját kezűleg készítheti el az alábbiak szerint:
- vesszük a tápegységet;
- bármilyen diódához csatlakoztatjuk (mínusz a katódhoz, és plusz az anódhoz);
- multiméter segítségével méréseket végzünk.
A kapott adatokból az áram-feszültség karakterisztikát egy adott elemre építjük fel. Diagramja vagy grafikonja a következő lehet.
Nemlineáris I - V karakterisztika
A grafikon az I - V karakterisztikát mutatja, amelyet ebben a kialakításban nemlineárisnak neveznek.
Nézzünk példákat a különböző típusú félvezetőkre. Minden egyes esetben ennek a jellemzőnek megvan a saját ütemezése, bár ezek mind ugyanazok lesznek, csak kisebb változtatásokkal.
VAC a schottkyhoz
Manapság az egyik legelterjedtebb dióda a Schottky. Ezt a félvezetőt Walter Schottky német fizikusról nevezték el. Schottky esetében az áram-feszültség karakterisztika a következő lesz.
I - V jellemző a schottkyra
Amint látja, Schottkyt a közvetlen csatlakozási helyzetben kis feszültségesés jellemzi. Maga a gráf egyértelműen aszimmetrikus. Az előfeszítési zónában az áram és a feszültség exponenciális növekedése figyelhető meg. Egy adott elem fordított és előre előfeszítése esetén az akadályban lévő áram az elektronoknak köszönhető. Ennek eredményeként az ilyen elemeket gyors hatás jellemzi, mivel nincsenek diffúz és rekombinációs folyamatok. Ebben az esetben az I – V karakterisztika aszimmetriája lesz jellemző a gát típusú szerkezetekre. Itt az áram feszültségtől való függését a töltésátviteli folyamatokban részt vevő hordozók számának változása határozza meg.
Szilícium dióda és I - V karakterisztikája
Schottky mellett jelenleg nagyon népszerűek a szilícium félvezetők. Szilícium típusú diódánál az áram-feszültség karakterisztika így néz ki.
CVC szilícium és germánium dióda
Az ilyen félvezetőknél ez a jellemző körülbelül 0,5-0,7 voltnál kezdődik. A szilícium félvezetőket gyakran a germánium félvezetőkkel hasonlítják össze. Ha a környezeti hőmérséklet egyenlő, akkor mindkét eszköz sávközt mutat. Ebben az esetben a szilícium elem előremenő árama alacsonyabb lesz, mint a germániumé. Ugyanez a szabály vonatkozik a fordított áramra is. Ezért a germánium félvezetőkben a hőleállás általában azonnal bekövetkezik, ha nagy a fordított feszültség.
Ennek eredményeként azonos hőmérséklet és előremenő feszültség jelenlétében a szilícium félvezetők potenciálgátja magasabb, a befecskendezési áram pedig alacsonyabb lesz.
CVC és egyenirányító dióda
Végezetül szeretném figyelembe venni ezt a jellemzőt egy egyenirányító diódánál. Az egyenirányító dióda egy olyan félvezető, amelyet a váltakozó áram egyenárammá alakítására használnak.
VAC egyenirányító diódához
A diagram a kísérleti I - V karakterisztikát és az elméleti (szaggatott vonal) mutatja. Amint látja, nem egyeznek. Ennek az az oka, hogy néhány tényezőt nem vettek figyelembe az elméleti számításoknál:
- a kristály alap- és emitterrégiójának ohmos ellenállásának jelenléte;
- megállapításai és kapcsolatai;
- a szivárgó áramok lehetőségének jelenléte a kristály felületén;
- a rekombinációs és generálási folyamatok lefolyása a hordozók átmenetében;
- különféle típusú meghibásodások stb.
Mindezek a tényezők eltérő hatással lehetnek, ami az elméleti valós áram-feszültség karakterisztika eltéréséhez vezethet. Ezenkívül a környezeti hőmérséklet jelentős hatással van a grafikon megjelenésére ebben a helyzetben.
Az egyenirányító dióda I-V karakterisztikája az eszköz nagy vezetőképességét mutatja, ha előrefelé feszültséget kapcsolunk rá. Ellenkező irányban alacsony vezetőképesség figyelhető meg. Ilyen helyzetben az elemen áthaladó áram gyakorlatilag nem folyik az ellenkező irányba. De ez csak a fordított feszültség bizonyos paramétereinél fordul elő. Ha túllépi, akkor a grafikon lavinaszerű áramnövekedést mutat az ellenkező irányba.
Következtetés
A diódaelemek áram-feszültség karakterisztikáját fontos paraméternek tekintik, amely tükrözi az ellentétes és előre irányú áramvezetés sajátosságait. Meghatározása a feszültség és a környezeti hőmérséklet függvényében történik.
A villogó LED szalagok problémájának megoldása bekapcsolt állapotban
"Angyalszemek" az autóhoz saját kezűleg
Tartószerkezetek kültéri világításhoz: amit tudnia kell
Az áram-feszültség karakterisztika (VAC) a p-n átmenet külső áramkörének áramának a rákapcsolt feszültség értékétől és polaritásától való függésének grafikonja. Ezt a függést kísérleti úton kaphatjuk meg, vagy az áram-feszültség karakterisztikus egyenlet alapján számíthatjuk ki . A pn átmenet termikus árama a szennyeződés koncentrációjától és hőmérsékletétől függ. A pn-átmenet hőmérsékletének emelkedése a hőáram növekedéséhez, következésképpen az előremenő és fordított áramok növekedéséhez vezet. Az adalékanyag koncentrációjának növekedése a hőáram csökkenéséhez vezet, és ennek következtében a pn-átmenet előremenő és fordított áramának csökkenéséhez.
14. Lebontásp- n-Átmenet- a fordított feszültség alatt álló csomópont üzemmódjának éles változásának nevezzük. Kísérő
A fordított áram éles növekedése, enyhén csökkenő, sőt csökkenő fordított feszültséggel:
Háromféle bontás:
1. Alagút (elektromos) - az elektronok potenciálgáton való áthaladásának jelensége;
2. Lavina (elektromos) - akkor fordul elő, ha az atommal való következő ütközés előtti mozgás során a lyuk (elektron) elegendő energiát szerez az atom ionizálásához;
3. Hőlebomlás (irreverzibilis) - akkor következik be, amikor a félvezető felmelegszik és a vezetőképesség ennek megfelelő növekedése.
15. Egyenirányító dióda: rendeltetés, viasz, alapparaméterek, ugo
Az egyenirányító diódákat a váltakozó áram egyirányú pulzáló árammá alakítására használják, és elektronikus berendezések tápegységeiben használják.
Germánium egyenirányító diódák
A germánium egyenirányító diódák gyártása úgy kezdődik, hogy indiumot olvasztnak az eredeti n-típusú germánium félvezető lapkába. Az eredeti lemezt viszont egy acél kristálytartóra forrasztják kis teljesítményű egyenirányító diódákhoz, vagy egy réz alapra a nagy teljesítményű egyenirányító diódákhoz. 
24. ábra egy kis teljesítményű ötvözet dióda kialakítása. 1- kristálytartó; 2 - kristály; 3 - int. következtetés; 4 - alattomos test; 5 - szigetelő; 6 - kovar cső; 7 - külső kimenet
Rizs25 VAC germánium dióda
A 25. ábrán látható, hogy a hőmérséklet emelkedésével a dióda fordított árama jelentősen megnő, a letörési feszültség értéke csökken.
A különféle célokra szolgáló germániumdiódák egyenirányított áramuk 0,3 és 1000 A között van. Az előremenő feszültségesés nem haladja meg a 0,5 V-ot, a megengedett fordított feszültség pedig 400 V. A germánium diódák hátránya a rövid távú impulzus túlterhelések esetén is visszafordíthatatlan tönkremenetelük.
Szilícium egyenirányító diódák
A szilícium egyenirányító diódákban p-n átmenet létrehozásához alumíniumot olvasztnak n-típusú szilíciumkristályba, vagy arany ötvözetét antimonnal p-típusú szilíciummá. Diffúziós módszereket is alkalmaznak az átmenetek előállítására. Számos kis teljesítményű szilícium dióda kialakítása gyakorlatilag nem különbözik a hasonló germánium diódák kialakításától.
Betöltés ...